每个示例都是虚构发明。打开任意一个,用其提示词预填生成器。
半导体权利要求分为结构、工艺和封装——各有其经典图型。
器件叠层垂直切开:衬底、阱区、栅叠层、侧墙、接触和金属化——每种材料有自己的剖面线图案,每个层都编号。
沉积、光刻、蚀刻、注入、退火画成呼应权利要求的编号步骤——制造方法权利要求的骨干附图。
一组 FIG. 2A–2E 系列,展示每个主要步骤后的叠层,沿用同一套层标号,让流程图、阶段图和最终结构三者一致。
芯片、焊球凸点、中介层、基板、塑封料和焊球的剖面——又是不同剖面线的天下,因为异种材料处处相接。
当权利要求触及电路时,用标准原理图符号加编号元件——这是与物理叠层不同的另一种图型。
叠层与工艺附图特有的失败模式。
氧化物和氮化物用同一种剖面线,层边界就消失了,公开也随之消失。给每种材料分配视觉上可辨的图案,并在所有图中保持不变。
把 2 nm 栅氧画到可见厚度没问题——但要在附图简要说明里写明附图未按比例,否则等于邀请一个可实施性问题。
衬底和其他要素一样是被主张的要素;不给它标号,权利要求到附图的映射在第一个限定上就断了。
FIG. 1 里的层 104 在阶段视图里变成 204 又不说明惯例,审查员会读成两个不同的层。要么用一个系列,要么写明按图分段的惯例。
GDS 导出精确,但不是专利附图;服务商懂剖面线,但按页计费。
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